<h2>D882...</h2>
Из отечественных приборов подойдут КТ 815, КТ 817 на соответствующее напряжение. При установке на место возможно понадобится ему немного "подогнуть ноги". А почему решено, что именно этот транзистор "накрылся". Тестером сопротивления переходов проверяли? Транзистор этот достаточно мощный и в "одиночку" выходит из строя редко.
Транзистор - это прибор (ПРИБОР, а не просто "компонент"), который работает на постоянном токе, но способен усиливать и обрабатывать переменный сигнал.
Для любого электронного устройства, даже столь простого, как одиночный транзистор, надо чётко различать две вещи: режим работы и сигнал. Или, что часто эквивалентно, питание и сигнал. Для работы транзистора, хоть в линейном режиме (усилитель), хоть в ключевом, напряжение питания должно быть постоянным. И ток, который идёт через транзистор - замечу, биполярный транзистор - тоже должен быть постоянным по направлению (для полевого транзистора это может быть и не так). А вот по величине этот ток может быть и переменным. Точнее - изменяющимся. Потому что информация, как правило, передаётся именно изменением какого-либо параметра системы - тока, напряжения, магнитного поля...
Функция базы транзистора - нарушать его равновесие. Носители, помещённые в базу (избыточные носители), нарушают электронейтральность структуры, а принцип сохранения электронейтральности - это фундаментальный принцип работы практически всех полупроводниковых устройств. Нарушение электронейтральности базы вызвает инжекцию из эмиттера носителей противоположного знака. Но поскольку база токая, то бóльшая этих носителей проскакивает базу насквозь и попадает в зону колекторного перехода, где они захватываются электрическим полем и обратно вернуться жуе не могут - они идут прямиком в вывод коллектора. Вот это и есть принцип усиления базового тока в биполярном транзисторе - несколько носителей, помещённых в базу, вызывают появление в коллекторе куда большего числа носителей, инжектированных эмиттером.
Эта температура почти всегда есть в справочных данных на радиокомпоненты. Обычно современные кремниевые дискретные элементы и микросхемы невысокой степени интеграции выдерживают при работе 125, а некоторые - до 150 и даже 175°C. Аналогичная термостойкость - у пассивных элементов, за исключением оксидных конденсаторов, у которых максимальная температура - 85 или 105°C. У БИС, выполненных по тонким техпроцессам, с крупными кристаллами, работающих на предельных частотах, допустимые рабочие температуры, особенно при длительной работе, значительно ниже, часто не выше 65-75°C. Связано это с ухудшением характеристик полупроводниковых структур - ростом обратных токов, сниженикм частотных свойств из-за уменьшения подвижности носителей, а также с их деградацией из-за диффузионных и электромиграционных процессов. Кристаллы большой площади, корпусированные по методике flip-chip (процессоры, видеоконтроллеры, системные контроллеры и прочие многовыводные СБИС) при долговременной работе при высоких температурах, и особенно при резких перепадах нагрев-охлаждение, подвержены нарушению контакта между контактными площадками кристалла и подложки.
Следует понимать, что лимитируется температура не поверхности корпуса, не радиатора - а активной области, в которой выделяется тепло. Но измерить ее обычно невозможно, а отличается она от внешней довольно значительно из-за невысокой теплопроводности кремния. Измеряют температуру корпуса или теплоотвода, и с ростом этой температуры нужно снижать рассеиваемую мощность, чтобы не превысить максимально допустимую внутреннюю температуру. Также с нагревом сужается область безопасной работы по напряжению. Вообще, от предельных значений, в том числе по температуре, следует держаться подальше и тем более, не допускать достижения одновременно двух предельных величин.
Официальной датой изобретения первого транзистора считается 1947 год. В те годы многие ученые работали в сфере полупроводниковой проводимости, в том числе и наши российские физики внесли свой неоценимый вклад в данное направление. Тем не менее создателями первого транзистора стали Джон Бардин, Уильям Шокли и Уолтер Браттейн.
Можно ли в этой схеме 2N3904 заменить на КТ3102ГМ? В этом передатчике будут работать многие транзисторы, КТ3102, лучше с большим коэффициентом передачи тока, подойдёт и КТ315Б, подойдёт КТ368 с любой буквой, КТ375А, из зарубежных 2N440, BC349B, SC147, MPS6571, и много других.
