Эта температура почти всегда есть в справочных данных на радиокомпоненты. Обычно современные кремниевые дискретные элементы и микросхемы невысокой степени интеграции выдерживают при работе 125, а некоторые - до 150 и даже 175°C. Аналогичная термостойкость - у пассивных элементов, за исключением оксидных конденсаторов, у которых максимальная температура - 85 или 105°C. У БИС, выполненных по тонким техпроцессам, с крупными кристаллами, работающих на предельных частотах, допустимые рабочие температуры, особенно при длительной работе, значительно ниже, часто не выше 65-75°C. Связано это с ухудшением характеристик полупроводниковых структур - ростом обратных токов, сниженикм частотных свойств из-за уменьшения подвижности носителей, а также с их деградацией из-за диффузионных и электромиграционных процессов. Кристаллы большой площади, корпусированные по методике flip-chip (процессоры, видеоконтроллеры, системные контроллеры и прочие многовыводные СБИС) при долговременной работе при высоких температурах, и особенно при резких перепадах нагрев-охлаждение, подвержены нарушению контакта между контактными площадками кристалла и подложки.
Следует понимать, что лимитируется температура не поверхности корпуса, не радиатора - а активной области, в которой выделяется тепло. Но измерить ее обычно невозможно, а отличается она от внешней довольно значительно из-за невысокой теплопроводности кремния. Измеряют температуру корпуса или теплоотвода, и с ростом этой температуры нужно снижать рассеиваемую мощность, чтобы не превысить максимально допустимую внутреннюю температуру. Также с нагревом сужается область безопасной работы по напряжению. Вообще, от предельных значений, в том числе по температуре, следует держаться подальше и тем более, не допускать достижения одновременно двух предельных величин.
