Вот ответ на твой вопрос
Свойства p-n - перехода. Полупроводниковые приборы являются основой современной электронной техники. Они применяются в радиоприемниках и телевизорах, микрокалькуляторах и электронных вычислительных машинах. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на использовании свойств p-n - перехода. Для создания p-n - перехода в кристалле с электронной проводимостью нужно создать область с дырочной проводимостью или в кристалле с дырочной проводимостью — область с электронной проводимостью. Такая область создается введением примеси в процессе выращивания кристалла или введением атомов примеси в готовый кристалл. Через границу, разделяющую области кристалла с различными типами проводимости, происходит диффузия электронов и дырок
mп = 5 г = 0,005 кг.
Vп = 200 м/с.
mш = 195 г = 0,195 кг.
V - ?
Согласно закону сохранения импульса: импульс замкнутой системы не изменяется.
До попадание в шар импульс был: mп *Vп, mп - масса пули, Vп - скорость пули.
После попадания пули в шар импульс системы будет: (mп + mш)*V, где mш - масса шара, V - скорость шара с пулей.
mп *Vп = (mп + mш)*V.
V = mп *Vп /(mп + mш).
V = 0,005 кг *200 м/с /(0,005 кг + 0,195 кг) = 5 м/с.
Ответ: шар приобретает скорость V = 5 м/с.
Ожог будет. Инфа 146%. Вода очень хороший теплопроводник
