![V_0=0](https://tex.z-dn.net/?f=V_0%3D0)
V=240 км/ч=66, 67 м/с
t=30 c
![V=V_0+at](https://tex.z-dn.net/?f=V%3DV_0%2Bat)
![a=(V-V_0)/t](https://tex.z-dn.net/?f=a%3D%28V-V_0%29%2Ft)
a=(66,67-0)/30=2,22 м/с^2
![S=V_0t+at^2/2](https://tex.z-dn.net/?f=S%3DV_0t%2Bat%5E2%2F2)
(м)
Ответ: 1000 метров.
В наивысшей точке подъема по оси y скорость будет равна 0, так что берем в расчет только скорость по оси х: vx=v0*cosA=8*cos60=8*0.5=4м/c.
Найдём объём тела: Vт= 2 ·5 · 10= 100 см³ = 0,0001 м³
Вычислим Архимедову силу по формуле: Fа = g · p(ро) · Vт
Fa = 10 Н · 1000 кг/м³ · 0,0001 м³ = 1 Н
Вывод: Архимедова сила не зависит от глубины.
D=1/F=1/0.2=5 дптр
===================
В полупроводнике число свободных носителей заряда растет при повышении температуры
так как их количество изначально невысоко, то при прохождении тока и навгреве проводимость сильно возрастает
в металле имеется большое количество свободных электронов, металл изначально обладает высокой проводимостью и малым сопротивлением, поэтому при пропускании тока на металле выделяется меньшая мощность чем на полупроводника, он меньше греется, при нагреве число носителей заряда не изменяется, проводимость ухудшается незначительно
при обратном напряжении на р-n переходе возникает запирающий слой, носители заряда его не могут преодолеть, ток минимальный, вплоть до напряжения пробоя
в узком диапазоне напряжения пробоя работают например стабилитроны