Точка на поверхности озера, в которую смотрит наблюдатель и видит тим звезду расположена от него на расстоянии L = h*ctg(30) = 1,6*корень(3)=<span><span>2,7713 м ~ 2,8 м
небольщой рисунок во вложении</span></span>
Дано:
a=110см=1,1м
b=50см=0,5м
P=10^5 Па
F=?
Используем базовую формулу
F=P*S=P*a*b=10^5 *1,1*0,5=55 000(Н) или 55кН
Ответ: Сила равно 55кН
Полупроводниковые приборы – это приборы, действие которых основано на использовании свойств веществ, занимающих по электропроводности положение между проводниками и диэлектриками. Предельное сопротивление: 10-6-108 Ом/м.
Их электрические свойства зависят от внешних условий – температура, освещенность. Особенность – повышение электропроводности при увеличении температуры, введении примесей. Например 10-5% мышьяка в германий снижают его сопротивление в 200 раз.
Основные элементы: германий, кремний, мышьяк, галлий.
Они имеют монокристаллическую структуру и кристаллическую решетку алмазного типа. Каждые атом окружен 4 атомами, находящимися в вершинах правильного тетраэдра. Атомы удерживаются в узлах решетки за счет валентных электронов. Связь между двумя соседними атомами осуществляется двумя валентными электронами – по одному от каждого атома, они образуют ковалентную связь. Т.о. каждый атом образует 4 ковалентные связи, и внешняя орбита полностью заполнена – имеет 8 электронов.
При близкой к абсолютному нулю температуре полупроводники ведут себя как диэлектрики. При температуре больше 0 , часть электронов под действием теплового поля разрывает ковалентные связи и переходит из валентной зоны в зону проводимости. При этом в валентной зоне возникают незаконченные энергетические уровни, а в зоне проводимости свободные электроны. Среднее время, которое электрон находится в возбужденном состоянии (в зоне проводимости), называют временем жизни электрона. Одновременно с появление электрона в зоне проводимости, в валентной зоне возникает незаконченная связь – дырка. Она ведет себя в электрическом поле как положительный заряд, по абсолютной величине равный заряду электрона, и по массе приблизительно равен массе электрона.
В полупроводниках без примесей происходит генерация пары носителей электрон-дырка. При наличии свободных электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне, кристалл приобретает способность проводить электрический ток. Проводимость кристалла определяется количеством электронов в зоне проводимости и количеством свободных энергетических уровней в валентной зоне. Дырка в валентной зоне может быть занята электроном, который перейдет с нейтрального атома. Там где был этот электрон появится дырка и т.д. Процесс последовательного заполнения свободной связи эквивалентен движению дырки в кристалле полупроводника. Во внешнем электрическом поле дырки дрейфуют в направлении поля, а электроны в обратном направлении. Концентрация увеличивается с ростом температуры.
В полупроводнике действуют одновременно два процесса – термогенерация носителей заряда и рекомбинация эл.дырок за счет возвращения электронов из зоны проводимости. Число возникающих эл.зарядов = числу рекомбинирующих носителей. Электропроводность определяется движением электроном под действием электрического поля.
Электропроводность проводника обусловленная генерацией его носителей заряда называется собственной проводимостью.
В электрическом поле движение электронов упорядочено. Полупроводники делятся на 2 типа: n-типа и p-типа. Введение примесей существенно меняет проводимость полупроводника. Процесс введения примесей называется легирование, а полученный полупроводник – примесный. Примесный полупроводник обладает электронами и дырками с существенным преобладанием одного типа носителей. Электропроводность полупроводника обусловлена ионизацией атомов донорными или акцепторными примесями. Примеси вводятся в строго контролируемых количеством, обычно 10-4%. Полупроводники, у которых основной носитель электрон, имеют n-проводимость, примесь – донорная. При введении 3-х валентной примеси основной носитель – дырка, примесь – акцепторная.
Основные носители – те носители, концентрация которых преобладает. А подвижные носители, составляющие меньшинство – неосновные.
Носители могут протекать диффузионно и дрейфово.
<span>Диффузионный ток – обусловлен электрическим полем. Если к полупроводнику приложить внешнее поле, то дырки будут двигаться в направлении поля, а электрон</span>
Відповідь:
Пояснення:
Q1=Q2+Q3
Q1=qm1
Q2=c2m2(t-t2)
Q3=λm2
qm1 = c2m2(t-t2)+λm2
m2 = qm1/(c2(t-t2)+λ)
m2 = 26000000*0,2/(2100*20+332000)=13,9 кг
<span>Если дрова мокрые то в среднем 2 кВт час,если сухие то -6, - 7 кВт час.</span>
