Даже на двух совершенно одинаковых платах могут устанавливаться smd транзисторы с разной маркировкой, это внутренняя маркировка производителя транзисторов. Можно попробовать найти другой транзистор с той же маркировкой и при помощи тестера вычислить его полярность, или зарисовать его обвязку, и догадаться, что это за зверь.
Шунтирование, как уже сказано, - это ставить какой-то компонент параллельно другому. Шунтировать нагрузку конденсатором, шунтировать амперметр датчиком тока, ну и так далее.
Шунтирование транзистора - это вовсе не обязательно диодом Шоттки, тем более что такой диод ставится параллельно коллекторному переходу, а не всему транзистору, поэтому его прозвонке никак не мешает. При проверке транззистора мультиметром прозваниваются переходы, по отдельности. То есть переход база-коллектор и база-эмиттер. Всё отличие будет в том, что в прямом направлении прозвонка коллекторного перехода покажет целостность диода Шоттки, а не перехода.
Только ведь при проверке транзистора проверяют чаще всего отсутствие пробоя коллектор-эмиттер. Поэтому есть там диод Шоттки (=шунтирован ли коллекторный переход диодом Шоттки) или нет - по фигу. Если транзистор пробит - мультиметр покажет некоторое сопротивление при любой полярности подключения щупов. Если не пробит - покажет о-очень высокое сопротивление и опять же при любой полярности.
Конечно, шунтирующий элемент может быть впаян параллельно и всему транзистору. Чаще всего так включают диод (не обязательно Шоттки) в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой - блокинг-генераторы или импульсные источники питания. Этот диод предотвращает "переполюсовку" (выброс напряжения обратной поляности при запирании транзистора) - бросок тока при этом идёт через шунтирующий диод, а не через транзистор. Можно представить себе и схему, где транзистор шунтируется сопротивлением, такое может встречаться в схемах автоматического регулирования.
При прозвонке транзистора в такой схеме натурально будет показываться сопротивление шунта, поэтому судить об исправности транзистора затруднительно.
Визуально определить можно, если внимательно посмотреть, какие элементы подсоединены к транзистору, и попытаться нарисовать принципиальную схему.
Комплементарной парой для транзистора bd138-16 является транзистор bd137-16.
То, что нарисовал Спин, гарантировано приведёт к пожару. Ведь источник питания через включённый в прямом направлени и диод оказывается целиком подведённм к батарее, со всеми вытекающими последствиями. Поэтому вот ТАК включать НЕЛЬЗЯ.
В простейшем варианте диод надо включить последовательно с батареей, а не с проводом питания:
Однако и эта схема несовершенна. Она помогает от отсоединения внешнего источника (когда слева по рисунку оказывается обрыв провода), но бесполена и даже вредна, когда источник не отключается, но на нём падает напряжение. В этом случае через открытый (опять же) диод батарея будет работать и на нагрузку, и на полумёртвый источник.
Поэтому решением будет ДВА диода:
Помимо всего сказанного о германии и кремнии, следует учитывать, что германиевые полупроводники при повышенных температурах начинают барахлить. Это наглядно продемонстрировал в инженер Гордон Тил в 1954 году на конференции, посвященной перспективам полупроводников. Высказывалось мнение о том, что создание транзисторов на кремнии вряд ли возможно. Он подключил простенький проигрыватель с германиевым транзистором к динамикам, включил его и опустил в горячее минеральное масло. Прибор сразу же перегрелся и звук исчез. Тогда Тил вытащил прибор, охладил его, вытащил при всех германиевый транзистор и заменил его своим собственным, кремниевым. После чего повторил "эксперимент" с нагревом. Прибор работал: музыка не прерывалась! Тем не менее, Нобелевская премия по физике за 1956 год досталась Джону Бардину именно за работы с германиевыми полупроводниками (вместе с ним премию получили Браттейн и Шокли). Точная формулировка нобелевского комитета:
Важно и то, что кремния в земной коре значительно больше германия. Кремния в земной коре около 28%, а германия - меньше одной миллиардной процента! Причем германий - очень рассеянный элемент.