Переводимо швидкості у м/с
60*1000=60000 м/год
60000/3600(у годині 3600 секунд)=16,(6)7м/с (приблизно 16,7)
(16,7+10)/2 = 13,35м/с
Нужно из координаты конечной точки вычесть координату начальной точки
1) До прохождения тока, силы натяжения нитей (их сумма) равна была mg.
После включения тока появилась сила Ампера со стороны магнитного поля, действующая в направлении силы тяжести (т.к в условии натяжение нитей выросло). Прирост силы натяжения составил mg/2.
Приравняем этому значению силу Ампера:
B*I*L = mg/2
Отсюда ток:
I = mg/(2BL) = 0,01*10/(2*10*0,1) = 0,05 A.
Ответ: 0,05 А.
2) Вес равен реакции опоры, то есть натяжению нитей.
В одном случае сила Ампера направлена вниз ( тогда вес больше Р1 = 15Н)
При другом направлении тока сила Ампера направлена вертикально вверх ( вес меньше: Р2 = 10Н).
Р1 = mg + BIL
P2 = mg - BIL
Сложим уравнения: 2mg = P1 + P2
m = (P1+P2)/2g = 25/20 = 1,25 кг.
Ответ: 1,25 кг.
Масса молекул не изменяется
общая масса уменьшается
плотность уменьшается
Полупроводник — это кристаллический материал, который проводит электричество не столь хорошо, как металлы, но и не столь плохо, как большинство изоляторов. В общем случае электроны полупроводников крепко привязаны к своим ядрам. Однако, если в полупроводник, например, в кремний, ввести несколько атомов сурьмы, имеющей «избыток» электронов, то в этом случае свободные электроны сурьмы помогут кремнию переносить отрицательный заряд. При замене нескольких атомов полупроводника индием, который легко присоединяет к себе дополнительные электроны, в полупроводнике образуются не занятые электронами «свободные места», или, как говорят физики, «дырки»; которые переносят положительный заряд. Такие свойства полупроводников привели к их широкому использованию в транзисторах — устройствах для усиления тока, его блокирования или пропускания только в одном направлении. В типичном NPN транзисторе, слой полупроводника с положительной (Р) проводимостью (основание), расположен между двумя слоями полупроводника с отрицательной (N) проводимостью (эмиттером и коллектором). Когда слабый сигнал, например, от интеркома (аппарата селекторной связи), проходит через основание NPN транзистора, эмиссия электронов этот сигнал усиливает.