Полупроводник — это кристаллический материал, который проводит электричество не столь хорошо, как металлы, но и не столь плохо, как большинство изоляторов. В общем случае электроны полупроводников крепко привязаны к своим ядрам. Однако, если в полупроводник, например, в кремний, ввести несколько атомов сурьмы, имеющей «избыток» электронов, то в этом случае свободные электроны сурьмы помогут кремнию переносить отрицательный заряд. При замене нескольких атомов полупроводника индием, который легко присоединяет к себе дополнительные электроны, в полупроводнике образуются не занятые электронами «свободные места», или, как говорят физики, «дырки»; которые переносят положительный заряд. Такие свойства полупроводников привели к их широкому использованию в транзисторах — устройствах для усиления тока, его блокирования или пропускания только в одном направлении. В типичном NPN транзисторе, слой полупроводника с положительной (Р) проводимостью (основание), расположен между двумя слоями полупроводника с отрицательной (N) проводимостью (эмиттером и коллектором). Когда слабый сигнал, например, от интеркома (аппарата селекторной связи), проходит через основание NPN транзистора, эмиссия электронов этот сигнал усиливает.
Так вот, у ускорение есть такая формула а=v-v0/□t.И здесь находим скорость.И выходит такая формула v=v0+at.Если у v0 знак +,но ускорение (-),то есть скорость становится медленее.Значит vx=vox-axt .Это формула называется прямолинейной равноускоренной скоростью.
Дано: V₀=36км/ч=10м/с, V=2V₀, a=0,2м/с², Найти: t, S V=2V₀=2*10=20м/с, a=(V-V₀)/t⇒ t=(V-V₀)/a, время t=(20-10)/0,2=10/0,2=50c путь S 1способ. S=V₀t+at²/2, S= 10*50+0,2*50²/2=750 м 2 способ. S=(V+V₀)t/2, S= (20+10)*50/2= 750 м