По закону сохранения импульса (m1+m2)·v = m1·v1 + m2·v2
2.5·10 = 1.5·25 + 1·v
откуда v = -12.5 м/с
<span>знак минус показывает, что осколок полетит в противоположном направлении.
</span>
Дано: h= 2,2 A= 3500 g=10 H/кг m-? решение: 3500/2,2*10=15,9кг ответ:15,9кг
В киросиновой массе , в не соленной воде и в горячей.
Поток магнитного поля в данном случае определяется формулой Ф=B*S
Площадь кольца S=100 см2
магнитная индукция вначале B1=1мТл
магнитная индукция вконце B2=2мТл
время, за которое произошло изменение t=1c
Модуль ЭДС = (Ф2-Ф1)/t
здесь Ф1=B1*S, Ф2=B2*S
Тип носителя зарядов изменяется путем добавок атомов с мЕньшим или бОльшим числом валентных электронов (электронов во внешнем слое) по сравнению с атомами основного полупроводника. Например в кремний (4 валентных электрона) можно ввести мышьяк или фосфор (5 валентных электронов)
<span>Атомы примеси вступают в </span>ковалентную связь<span> с атомами кремния (другими словами, заменяют атом кремния в кристаллической решетке). Однако пятый электрон атома мышьяка или фосфора оказывается "лишним", и он становится свободным. В данном случае носителем заряда является отрицательно заряженный электрон. Получаем электронный полупроводник, или полупроводник n-типа (от negative - отрицательный). </span> Если в кремний добавить трехвалентные бор, индий или галлий, то примесные атомы так же внедрятся в кристаллическую решетку и образуют связи с атомами кремния. Недостающий четвертый электрон эти примесные атомы захватят у соседних атомов кремния, вследствие чего образуется положительно заряженная "дырка". Она и будет носителем заряда. Получаем дырочный полупроводник или p-полупроводник (от positive - положительный)