ЭДС = dФ/dt
dt = dФ/ЭДС =(0,006-0,004)Вб / 4В =0,0005 с = 0,5 мс
Т.к. одно плечо 80 см,а второе 1 м-80 см=20 см, в 4 раза меньше, то силу придется приложить в 4 раза больше к этому плечу.
Амплитуда =1
время видимо пропущено 12t
тогда 12 - цикл частота
-4\π - начальная фаза
частота 12/2π
период π\6
M - масса груза ( 80 кг )
h - высота ( 10 метров )
g - ускорение свободного падения ( 10 Н / кг )
A - работа ( ? )
A = m · g · h = 80 кг · 10 Н / кг · 10 м = 8000 Дж = 8 кДж
Ответ : 8 кДж
Ответ:
полупроводник р-типа
Объяснение:
При нагревании происходит диффузия свободных носителей заряда от нагретого конца к холодному, у холодного конца полупроводника возникает повышенная концентрация свободных носителей заряда. Т.е. если полупроводник принадлежит к р-типу, то потенциал выше у холодного конца, если же полупроводник n-типа, то более высоким оказывается потенциал нагретого конца.
Исходя из этого, имеем дело с полупроводником р-типа