Саши v=200м/40 с=5 м/с
Димы v 200м/50 с=4 м/с
Скорость Коли средняя v=(5м/с +4 м/с) /2=4,5м/с
А если надо в км/ч, то 16,2
Вот ответ на твой вопрос
Свойства p-n - перехода. Полупроводниковые приборы являются основой современной электронной техники. Они применяются в радиоприемниках и телевизорах, микрокалькуляторах и электронных вычислительных машинах. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на использовании свойств p-n - перехода. Для создания p-n - перехода в кристалле с электронной проводимостью нужно создать область с дырочной проводимостью или в кристалле с дырочной проводимостью — область с электронной проводимостью. Такая область создается введением примеси в процессе выращивания кристалла или введением атомов примеси в готовый кристалл. Через границу, разделяющую области кристалла с различными типами проводимости, происходит диффузия электронов и дырок
Η =
* 100 %
η =
-------------------> t =
q - удельная теплота сгорания ( 42.9 МДж/кг = 42900000 Дж/кг )
m - масса ( 60 л = 0,06 м³ ------> m = p * V = 710 * 0,06 = 42,6 кг )
P - мощность ( 113 л.с. 1 л.с. = 735,5 Вт -----> 113 л.с. = 113*735,5 = 83111,5 Вт )
η - КПД = 30 % = 0,3
=
≈ 73296 c = 1221 мин ( 20 ч )