Найдём коэффициент жёсткости пружины.
k=F/x
k=100H/0,1м=1000Н/м
А=kx^2/2
A=1000H/м*0,01м/2=5Дж
При обычной фотосъёмке объектов, расположенных на расстояниях от бесконечности до ~1 метра фокусировка выполняется выдвижением объектива на небольшую величину. Расстояние от объектива до плоскости изображения при этом увеличивается, а относительное отверстие уменьшается, но изменение последнего настолько невелико, что при определении экспозиции поправку на него можно не вводить. В случае макросъёмки объектив выдвигается на значительное расстояние: расстояние до плёнки увеличивается иногда в несколько раз, и в несколько раз уменьшается относительное действующее отверстие, так как диаметр зрачка объектива остаётся неизменным.Если не поймешь(возникнут вопросы),пиши в лс.
Дано:
Q = 5000 Дж
t2 - t1 = 100 C
c = 500 Дж/кгC
Найти:
m = ?
Решение:
Q = cm( t2 - t1 )
m = Q/100c
m = 5000/50000 = 0,1 кг
A = F * S
F - сила
S - путь ( 80 см = 0,8 м )
F = P - FA
P - вес в воздухе
FA - Архимедова сила
P = m * g
m - масса ( 70 кг )
g - ускорение свободного падения ( 10 Н / кг )
P = 70 * 10 = 700 H
FA = p * g * V
p - плотность жидкости ( для воды 1000 кг / м³ )
g - ускорение свободного падения ( 10 Н / кг )
V - объём ( 0,03 м² )
FA = 1000 * 10 * 0,03 = 300 H
F = 700 H - 300 H = 400 H
A = F * S = 400 * 0,8 = 320 Дж
Проводимость полупроводников, обусловленная примесями, называется примесной проводимостью, а сами полупроводники — примесными полупроводниками. Примесная проводимость обусловлена примесями (атомы посторонних элементов), а также дефектами типа избыточных атомов (по сравнению со стехиометрическим составом), тепловыми (пустые узлы или атомы в мeждоузлиях) и мeхaническими (трeщины, дислокации и т. д.) дефектами. Нaличие в полупроводнике примeси существенно измeняeт его прoводимость. Нaпример, при ввeдении в кремний примерно 0,001 ат.% бора его проводимость увeличивaется примерно в 106 раз.
Примeсную проводимость пoлупроводников рассмoтрим на примере <span>Ge </span>