Ответ:
x=6,7 см y=3 см
Объяснение:
x0=2 см y0=2см ABx=AB*c0sa=10*0,87=8,7 см Abx=x-x0 x=8,7-2=6,7 см
ABy=AB*sina==10*0,5=5 см y=ABy-y0=5-2=3 см
Полупроводниковые приборы – это приборы, действие которых основано на использовании свойств веществ, занимающих по электропроводности положение между проводниками и диэлектриками. Предельное сопротивление: 10-6-108 Ом/м.
Их электрические свойства зависят от внешних условий – температура, освещенность. Особенность – повышение электропроводности при увеличении температуры, введении примесей. Например 10-5% мышьяка в германий снижают его сопротивление в 200 раз.
Основные элементы: германий, кремний, мышьяк, галлий.
Они имеют монокристаллическую структуру и кристаллическую решетку алмазного типа. Каждые атом окружен 4 атомами, находящимися в вершинах правильного тетраэдра. Атомы удерживаются в узлах решетки за счет валентных электронов. Связь между двумя соседними атомами осуществляется двумя валентными электронами – по одному от каждого атома, они образуют ковалентную связь. Т.о. каждый атом образует 4 ковалентные связи, и внешняя орбита полностью заполнена – имеет 8 электронов.
При близкой к абсолютному нулю температуре полупроводники ведут себя как диэлектрики. При температуре больше 0 , часть электронов под действием теплового поля разрывает ковалентные связи и переходит из валентной зоны в зону проводимости. При этом в валентной зоне возникают незаконченные энергетические уровни, а в зоне проводимости свободные электроны. Среднее время, которое электрон находится в возбужденном состоянии (в зоне проводимости), называют временем жизни электрона. Одновременно с появление электрона в зоне проводимости, в валентной зоне возникает незаконченная связь – дырка. Она ведет себя в электрическом поле как положительный заряд, по абсолютной величине равный заряду электрона, и по массе приблизительно равен массе электрона.
В полупроводниках без примесей происходит генерация пары носителей электрон-дырка. При наличии свободных электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне, кристалл приобретает способность проводить электрический ток. Проводимость кристалла определяется количеством электронов в зоне проводимости и количеством свободных энергетических уровней в валентной зоне. Дырка в валентной зоне может быть занята электроном, который перейдет с нейтрального атома. Там где был этот электрон появится дырка и т.д. Процесс последовательного заполнения свободной связи эквивалентен движению дырки в кристалле полупроводника. Во внешнем электрическом поле дырки дрейфуют в направлении поля, а электроны в обратном направлении. Концентрация увеличивается с ростом температуры.
В полупроводнике действуют одновременно два процесса – термогенерация носителей заряда и рекомбинация эл.дырок за счет возвращения электронов из зоны проводимости. Число возникающих эл.зарядов = числу рекомбинирующих носителей. Электропроводность определяется движением электроном под действием электрического поля.
Электропроводность проводника обусловленная генерацией его носителей заряда называется собственной проводимостью.
В электрическом поле движение электронов упорядочено. Полупроводники делятся на 2 типа: n-типа и p-типа. Введение примесей существенно меняет проводимость полупроводника. Процесс введения примесей называется легирование, а полученный полупроводник – примесный. Примесный полупроводник обладает электронами и дырками с существенным преобладанием одного типа носителей. Электропроводность полупроводника обусловлена ионизацией атомов донорными или акцепторными примесями. Примеси вводятся в строго контролируемых количеством, обычно 10-4%. Полупроводники, у которых основной носитель электрон, имеют n-проводимость, примесь – донорная. При введении 3-х валентной примеси основной носитель – дырка, примесь – акцепторная.
Основные носители – те носители, концентрация которых преобладает. А подвижные носители, составляющие меньшинство – неосновные.
Носители могут протекать диффузионно и дрейфово.
<span>Диффузионный ток – обусловлен электрическим полем. Если к полупроводнику приложить внешнее поле, то дырки будут двигаться в направлении поля, а электрон</span>
F тр=0.1*P=0.1*10*300=300 Н
A=F*S отсюда S=A/F=2.1*10^6/300=7000 м
т.к равномерное движение ускорение равно 0, значит находим V из формулы
S=V*t отсюда V=S/t=7000\3600 (cек) = 1.9 м/с примерно 2 м/с
Ответ: 2 м/с.
То, что было написано про увеличение скоростей молекул и преодоление ими притяжения других молекул, верно. Но это происходит и при испарении. Подводимое тепло идет на увеличение скоростей молекул, увеличение температуры жидкости и ее испарения с поверхности жидкости.
При приближении к температуре кипения начинается усиленное испарение жидкости по всему ее объему, внутрь пузырьков воздуха. Они наполняются водой в газообразном состоянии, растут и начинают всплывать и выпускать газ.
При достижении температуры кипения испарение жидкости внутрь пузырьков становится таким мощным, что они непрерывным потоком поднимаются на поверхность, лопаются, выпуская газ. Жидкость шумит от бурления. Вот это и есть кипение. Вся подводимая энергия идет на испарение жидкости по всему ее объему, а не только с поверхности. Температура не поднимается. Образуется газ той же температуры.
А испаряться может и лед на морозе. Так зимой сушат белье на улице или балконе.
Нет ни чего невозможного для человека с интеллектом, смотри:
1м=100=1000мм, значит в 1м=1000м.
Запомни это.
Что такое квадратный метр?! Это метр умноженный сам на себя 1м×1м=1м²
От сюда следует что: 1м×1м=1м²=1000мм×1000мм=100×10³=1000000мм²
Значит один миллиметр является одной миллионной метра квадратного.
Тогда 51×0.000001=0.000051м²
Если хочешь то потренируйся выводить и считать
