Основными носителями зарядов в полупроводнике являются электроны и дырки. Их число зависит от температуры или от облучения полупроводника.
При нагревании или освещении полупроводника электрон разрываю связь и становится свободным при этом образуется пустое место имеющее положительный заряд ( дырка). Ток в полупроводнике это упорядоченное движение электронов и дырок
x=A+Bt,подставим А и В,получим:
x=4+6t
подставим t,получим:
x=4+6*8=52м
Hmax=V0^2*sin^2(a)/2g;
S=V0^2*sin(2a)/g;
S/h=4=(V0^2*sin(2a)/g)/(V0^2*sin(2a)/g)=sin(2a)/sin^2(a);
2sin(a)cos(a)=2sin^2(a);
sin(a)=cos(a);
a=
![\pi](https://tex.z-dn.net/?f=%20%5Cpi%20)
/4=45
°
Tпад = √(2H/g).
H (высота) = 0.8м
g (const) = 10 м/с^2
t = 0.4 c