1) Дано: Решение: Q = Cm(t2-t1) Q = mL
m = 0.2 кг Q = 4 200 x 0.2 x 60 = 50 400 Дж
t1 = 40 C Q = 0.2 x 2 300 000 = 460 000 Дж
t2 = 100 C
C = 4200 Дж / кг Ответ:25 520 Дж
L = 2 300 000 Дж / кг
2) Дано: Решение: Q = Cm(t2-t1) Q = mL
m = 10 кг Q = 10 x 2300000 = 23 000 000 Дж
t1 = 100 C Q = 4200 x 10 x 80 = 3 360 000 Дж
t2 = 20 C
L = 2 300 000 Дж / кг Ответ: 26 360 000 Дж
M=pv
m=2600*0,004=10,4кг
Fт=gm,g=9,8Н/кг
Fт=10*10,4=104Н
FA=pgV
FA=1000*10*0,004=40H
Fт=FA+Fy
Fy=Fт-FA
Fy=104-40=64Н
Высота столба будет колебаться в зависимости от плотности ртути
В полупроводнике число свободных носителей заряда растет при повышении температуры
так как их количество изначально невысоко, то при прохождении тока и навгреве проводимость сильно возрастает
в металле имеется большое количество свободных электронов, металл изначально обладает высокой проводимостью и малым сопротивлением, поэтому при пропускании тока на металле выделяется меньшая мощность чем на полупроводника, он меньше греется, при нагреве число носителей заряда не изменяется, проводимость ухудшается незначительно
при обратном напряжении на р-n переходе возникает запирающий слой, носители заряда его не могут преодолеть, ток минимальный, вплоть до напряжения пробоя
в узком диапазоне напряжения пробоя работают например стабилитроны
Излучение лазера-это высокая мощность Л.и. в сочетании с высокой направленностью позволяет получать с помощью фокусировки световые потоки огромной интенсивности.