Основными носителями зарядов в полупроводнике являются электроны и дырки. Их число зависит от температуры или от облучения полупроводника.
При нагревании или освещении полупроводника электрон разрываю связь и становится свободным при этом образуется пустое место имеющее положительный заряд ( дырка). Ток в полупроводнике это упорядоченное движение электронов и дырок
R1=5 Ом
R2=10 Ом
U=4,5 B
U1=I*R1 I=U/(R1+R2) ⇒ U1=U*R1/(R1+R2)=4,5*5/(5+10)=1,5 B
U2=I*R2=U*R2/(R1+R2)=4,5*10/(5+10)=3 B
А)F=(po)
gh=1000*10*0.5=5000Н
б)m=pv=2700*0,00025=0.675 Кг
в)F=mg=0.675*10=6.75Н
г)F(архи)=rgV=1000*10*0,00025=2.5Н
д)F-F(архи)=6.75-2.5=4.25Н
верно ))
При равномерном движении сила тяжести равна сиде сопротивления воздуха.
Fc=m*g=70*10=700 H
Масса:0.057кг, 700кг, 0.0023кг Путь:
Объем: 0.0000025м3, 0.012м3 Время: 1200с Плотность: 11300кг/м3 Скорость: 9.72м/с