Дано: Rг=200 Ом, Iг=0.1мА, Uобщ=2В, Iобщ=10мА
Шунт Ш параллельно Г, добавочный резистор Д -последовательно с ними.
Из условия следует: ток через Ш должен быть Iш=10-0.1=9.9мА, напряжение Uш=Uг=0.1мА*200Ом=0.02В, тогда Rш=0.02/9.9*10^-3=2.02 Ом.
Падение напряжения на добавочном резисторе Д должно быть Uд=10-0.02=9.98В при токе Iд=Iобщ=10мА, тогда Rд= 9.98/10*10^-3=998 Ом
Ответ: Rд=998 Ом, Rш=2.02 Ом
Физико-химические свойства гелей. Технология производства геля с гипохлоритом натрия для наружного применения. Перспективы развития лекарственных средств с жидкой дисперсионной средой. Классификация гелеобразователей и загустителей полисахаридной природы.
<span>P=1,5*10^5=const</span>
<span>T1=313</span>
<span> T2=353</span>
<span> dV=0,01</span>
<span> M=29*10^-3</span>
<span> j=5</span>
<span> m=0,2 </span>
<span>dU=0,5*5*(0,2/29*10^-3)*8.31*40</span>
<span> R=8,31; <span>dT=40, </span></span>
<span> A=1.5*10^5*0.01</span>
Q=A+dU
посчитай..
Дано:
k = 40000 Н/м;
m = 1200 кг;
a = 0,3 м/с².
x — ?
Решение:
Fупр = ma,
kx = ma,
x = (ma)/k.
x = (1200*0,3)/40000 = 0,009 (м).
0,009 м = 9 мм.
Ответ: 9 мм.