F=F1+F2(векторно)
F=√F₁²+F₂²F1=ma1 a1=8м/с²(по оси Х)
F2=ma2 а2=6м/с²
(по оси У)F1=16(H)F2=12(H)<span>F=√400=20(H)</span>
20хв=1200с
20л*1=20кг
Δt=100-20=80
ККД=70%=0,7
Q=c*m*Δt=4200*20*80=6720000Дж
Q=A
P=A/t*0,7=6720000/1200*0,7=8000Вт=8кВт
1) 0А-нагревание
БВ-плавление
ВГ-понижение температуры для начала кристаллизации
всё это процессы изменения температуры
2)АБ-нагревание до температуры плавления
ГД-кристаллизация цинка
температура неизменна т.к для перехода цинка из одного состояния в другое ему нужна определёная температура, которую он получает при нагревании.
3)ГД-отвердевание
АБ-плавление
БВ-нагревание жидкого цинка