Из основного уравнения МКТ:
<u>p=nkT</u> <=> <u>p/n=kT</u>
<u>Ek=(3/2)kT</u>
<u>Ek=3p/2n</u>=3*10^5/2*2.7*10^25=0,5*10^-20
<u>Ответ:0.5*10^-20</u>
Учение Демокрита, Рази, Беруни и Авиценны о строении вещества.
Параллельное включение диодов применятся в тех случаях, когда нужно обеспечить большее значение тока, чем позволяет один диод. А еще разработчики аппаратуры стремятся уменьшить так называемое падение напряжения на диоде. То есть повысить КПД путем уменьшения рассеиваемой мощности на диоде (p-n переходе) . Что особенно актуально для низковольтных схем, например на 5 Вольт или на 3,3 Вольта. Для этого либо использовались старые германиевые диоды, либо недавно появились диоды Шоттки, а также на основе Карбида Кремния.
При необходимости получить выпрямленный ток, превышающий предельно допустимое значение для одного диода, применяют<span> параллельное включение однотипных диодов</span><span>. При различных величинах сопротивлений Rпр диодов ( что чаще всего встречается на практике), ток между ними будет распределяться неравномерно. Больший ток вызовет повышенный нагрев р-п перехода, сопротивление Rnp уменьшится и ток еще больше возрастет. В итоге ток через диод может превысить предельно допустимый и вывести его из строя. Так как различие величин Rnp зависит от температуры диодов и меняется со временем, то подбор диодов с идентичными параметрами не позволяет создать надежно работающую схему. </span>
усиление: Δl=kλ. k∈z
гашение: Δl=(2k+1)λ /2. k∈z
При увеличении тока накала, катод рентгеновской трубки нагреется сильнее. Соответственно возрастет эмиссия электронов. Но так как напряжение анод-катод не изменяется, то скорость электронов останется прежней. Соответственно жесткость рентгеновского излучения останется прежней. Изменится лишь его интенсивность (ведь электронов будет больше).