1) От горбика до горбика ≈ 12 клеточек.
10 клеточек = 0.01 сек.
Значит, 1 клеточка = 0.001 сек = 1 мс.
Тогда период колебаний T ≈ 12 мс = 0.012 сек.
2) Всего клеточек 21, а значит общее число колебаний на гграфике ≈ 21/12 = 7/4 = 1.75 (штук)
3) Частота колебаний f = 1/T = 1/0.012 ≈ 83.3 Гц.
4) Амплдитуда колебания (по верхней и по нижней границе) Uo ≈ 120 В
5) Поскоьку в системе есть активное сопротивление R=20 Ом, то колебания затухающие, и про ток (как действующий, так и амплитудный) можно говорить только в данный момент времени. В любом случае, ток и напряжение в колебательном контуре связаны его волновым сопротивлением (фактически равным модулю импеданса любобго из колебатльных элементов): Io = Uo/√[L/C] (амплитудные)
или иначе:
Io = Uo/√[L/C] = Uo√[LC/L²] = Uo√[LCw²/(Lw)²] = Uo/(Lw) = UoT/(2пL) .
Действующий ток:
Iд = Io/√2 = UoT/(2√2пL) ≈ 120*0.012/(2√2*3.14*0.050) ≈ 3.24 А .
6)
|XL| = |Xc| = √[L/C] = Lw = 2пL/T = 2*3.14*0.050/0.012 ≈ 26.2 Ом .
R = Xr = 20 Ом.
7)
LCw² = 1 ;
C = 1/(Lw²) = (Т/2п)²/L ≈ 7.30 * 10^(-5) Ф = 73 мкФ .
8)
w = 2п/Т = 2п/0.012 = п/0.006 = 500п/3 ≈ 524/c ;
U = 120 sin( [500п/3] t ) ≈ 120 sin 524t .
Ответ:
Объяснение:
эквивалент сопротивления верхней ветви
r12=R1+R2=50+40=90 Ом
нижней ветви
r34=R3+R4=60+12=72 Ома
Общее напряжение
Rob=r12*r34/(r12+r34)=90*72/(90+72)= 40 Ом
Общее напряжение
U=I*Rob=3*40=120 B
Мощность
P=U*I=120*3=360 Ватт
Ток верхней ветви
I1=I2=U/r12=120/90=4/3 А
нижней
I3=I4=U/r34=120/72=5/3 A
Проверка первым законом Кирхгофа
I=I1+I3
3=4/3 + 5/3 =9/3
3=3
<span>F=ma Надо найти a. V=Vo+at ---> (Vo=0) a=V/t ---> a = 4/0,1 = 40 м/с^2 Тогда F=0,5 * 40 = 20 Н</span>
Выделим участок площадью S,
расположенный посредине и перпендикулярный отрезку
на него падает поток Ф1 от источника S1 и поток Ф2 от источника S2
угол между S и S1 составляет 45+alpha
угол между S и S2 составляет 45-alpha
поток Ф1 попадающий на придуманную поверхность S попадает на поверхность S1
у которой площадь больше
S1=S/cos(45+alpha)
аналогично получаем
S2=S/cos(45-alpha)
освещенность пластины 1 по определению Е1=Ф1/S1
освещенность пластины 2 по определению Е2=Ф2/S2
так как расстояние до плоскостей от источников одинаково, то
Ф1= I1 * S / (4*pi*r^2) поток от первого источника на расстоянии r через площадь S
Ф2= I2 * S / (4*pi*r^2) поток от второго источника на расстоянии r через площадь S
Е1=Ф1/S1=(I1 * S / (4*pi*r^2)) / S1 = cos(45+alpha) * (I1 * S / (4*pi*r^2)) / S = cos(45+alpha) * (I1 / (4*pi*r^2))
Е2=Ф2/S2=(I2 * S / (4*pi*r^2)) / S2 = cos(45-alpha) * (I2 * S / (4*pi*r^2)) / S = cos(45-alpha) * (I2 / (4*pi*r^2))
по условию Е1=Е2
cos(45+alpha) * (I1 / (4*pi*r^2)) = cos(45-alpha) * (I2 / (4*pi*r^2))
cos(45+alpha) * I1 = cos(45-alpha) * I2
I1/I2=cos(45-alpha)/cos(45+alpha)
Условие максимума интенсивности:
Δ = (m+1/2)·λ.
По условию:
m = 0;
Δ = λ/2;
λ = 2·Δ = 2·0,98 = 1,96 мкм
