Чтобы получить полупроводник с дырочкой проводимостью в чистый кремний можно добавить <span>небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия) . Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными. </span>
Дано: h₁₂₃₄ = h; g = const; ρ₁₂₃₄ = ρ.
Довести: p₁₂₃₄ = ρgh.
Доведення. У першій посудині сила реакції опори стінок урівноважує частину ваги рідини (див. рисунок),
а у другій посудині сила реакції опори стінок
збільшує силу тиску на дно.
У четвертій посудині тиск тонкого вертикального стовпа за законом Паскаля передається на дно:
p = ρgh₁ + ρgh₂ = ρg(h₁ + h₂) = ρgh.
Ответ:
Увеличиться в 3 раза
Объяснение:
d-дельта
dU=5/2kdT
P1v1=НюRT1
P1*12*v1/4=НюR3T1
Как мы видим, температура увеличилась в 3 раза
Следовательно внутрення энергия увеличиться в 3 раза
I3=I2=1A
R23=3*3/(3+3)=1.5 Ом
Io=I3+I2=2A
Ro=R1+R23+R4=1+1.5+5=7.5 Ом
I1=I4=Io=2A
Uo=Io*Ro=2*7.5=15 B