Правильный ответ (ну или скажем так: минимально неправильный ответ): да какая на фиг разница... Надо только чётко осознавать, что всякие маркетологические камлания о "10-нм процессе", "7-нм процессе" и так далее к размеру транзисторов не имеют никакого отношения. Это попугаи.
Штука в том, что уже довольно давно, лет двадцать назад, транзисторы стали трёхмерной структурой. Это произошло благодаря разработке FinFET-технологии, когда канал транзистора по сути стал вертикальным, а не горизонтальным. Поэтому "размер по горизонтали" оказался отвязанным от истинных размеров транзистора, где ключевой параметр, хоть и не единственный, - это длина канала. Потому что как раз от длины канала зависит время пролёта носителей от истока до стока, а время переключения не может быть меньше времени пролёта (это известно ещё с эпохи ламповых триодов).
В истинно планарных транзисторах длина канала была ограничина физикой процесса изготовления. Ну да, от термической диффузии при формировании областей стока и истока давно отказались, заменив её ионной имплантацией. Но даже и ИИ не свободна от попадания ионов вбок, за пределы окна имплантации, а для активации примеси всё равно необходим нагрев кристалла, так что некоторое сужение геометрического размера канала (свободной от имплантации зоны кремния) всё равно оставалось, что и ограничивало минимально допустимую технологией длину канала. А стало быть - ограничивало и минимально возможную площадь базовой ячейки кристалла.
Переход в третье измерение как раз и снял эти ограничения (FinFET тоже далеко не последний писк моды в этом направлении) - но это же сделало бессмысленным прямое соотнесение проектных норм и размеров транзисторов.
Ну хотя б по той простой причине, что длина волны УФ излучения при фотолитографии - это 180 нм (ниже этой границы сам воздух становится непрозрачным), так что сформировать элементы размером менее ~90 нм уже невозможно из-за дифракционных эффектов. Ну разве что натурально переходить на системы с искусственной атмосферой, свободной от кислорода (такое, по слухам, практикуется), но всё равно - до применения рентгеновской литографии в промышленных масштабах ещё далеко, и применяется по-прежнему ультрафиолет.
Ну так к нанометрам.
Как только стало ясно, что повышение плотности размещения транзисторов на кристалле - а нужно именно это - достигается не снижением их размеров, а играми с их размещением, стало ясно и другое: довольно трудно объяснить, чем технология N+1.0 лучше технологии N.0. Тогда и придумали эти попугаи. Фишка тут в том, что любая логическая схема всё равно сводится к каким-то базовые кирпичикам - инверторам, вентилям, ячейке памяти. Вот 6-транзисторная ячейка статической памяти как компонент, наиболее часто встречающаяся в ядрах процессорах (это и кэш разного уровня, и ячейка регистра, и базовый компонент почти любого триггера) и стала таким попугаем. Если благодаря чисто инженерным трюкам ячейку с традиционной технологией и проектными нормами 100 нм удалось утоптать в половинный по площади блок, то - при тех же нормах литографии! - маркетологи заявляют, что "эта новая ячейка сделана по 70-нм процессу" (линейное изменение масштаба в корень из 2, то есть примерно 0,7 от предыдущего, соответствует уменьшению площади вдвое). Если благодаря ещё каким-то трюкам удалось ещё вдвое снизить площадь эталонного попугая, то можно с полным правом говорить о "50-нм процессе".
Поэтому все вот эти 10, 7, 5, 2 нанометра... - это всё условные показатели. 10-нм процесс просто-напросто позволяет сделать ячейку, для которой плотность упаковки в сто раз выше, чем для вот той, самой первой планарной ячейки с нормами в 100 нм.
И вся любовь.
<hr />
Ну и до кучи про ту же проблему, обсуждавшуюся в соседнем вопросе под другим углом.
Не все нанометры одинаково полезны.
Для задач банального счёта, как в ядрах процессорах, оно действительно чем "меньше нанометров" - тем лучше, потому что это до некоторой степени характеризует и улучшение основных показателей схемы, в первую очередь её быстродействие. Но быстродействие далеко не всегда основной показатель. Например, в аналоговых схемах (в частности и в схемах АЦП или схемах радиоприёмных трактов, или схемамх управления ячейками дисплея) не менее важен и диапазон обрабатываемых сигналов, и тогда опускаться ниже какого-то порога нельзя. Если в цифре по фигу, сколько на ней вольт - всегда можно снизить напряжение питания ядра, если только сохраняется надёжное отличие нуля от единицы, - то в аналоговых узлах важны именно вольты, поэтому в них нельзя снижать рабочие напряжения транзисторов, а значит - нельзя неограниченно уменьшать их размеры. Поэтому для аналоговых схем вполне и даже необходимы подходят проектные нормы в 90 нм, а порой и в 180 нм.
