Параллельное включение диодов применятся в тех случаях, когда нужно обеспечить большее значение тока, чем позволяет один диод. А еще разработчики аппаратуры стремятся уменьшить так называемое падение напряжения на диоде. То есть повысить КПД путем уменьшения рассеиваемой мощности на диоде (p-n переходе) . Что особенно актуально для низковольтных схем, например на 5 Вольт или на 3,3 Вольта. Для этого либо использовались старые германиевые диоды, либо недавно появились диоды Шоттки, а также на основе Карбида Кремния.
При необходимости получить выпрямленный ток, превышающий предельно допустимое значение для одного диода, применяют<span> параллельное включение однотипных диодов</span><span>. При различных величинах сопротивлений Rпр диодов ( что чаще всего встречается на практике), ток между ними будет распределяться неравномерно. Больший ток вызовет повышенный нагрев р-п перехода, сопротивление Rnp уменьшится и ток еще больше возрастет. В итоге ток через диод может превысить предельно допустимый и вывести его из строя. Так как различие величин Rnp зависит от температуры диодов и меняется со временем, то подбор диодов с идентичными параметрами не позволяет создать надежно работающую схему. </span>
<span>Объем, скорость, масса, плотность, сила, температура, давление, напряжение, освещенность, импульс, мощность, сила тока,...</span>
Кпд=m*g*h/F*L
F=m*g*h/L*кпд=240*10*1,5/5*0,8=900 H
При равномерном движении сила тяги равна силе трения. Fтр=900 Н
Ответ:
W=0,484 Дж
W'=16*W при увеличении напряжения в 4 раза, энергия конденсатора увеличится в 16 раз
Объяснение:
C=20 =0,00002 мкФ
U=220 В
<u>U'=4*U </u>
W=?, W'=?
W=C*U²/2=0,00002*220²/2=0,484 Дж
W'=C*(U')²/2=C*(4*U)²/2=16*C*U²/2=16*W
По формуле p=P*g*h; P-плотность (1030кг/м3); g=10H/кг; h= 800м
<span>p=1030кг/м3* 10H/кг* 800м= 8240000 паскаль</span>