Епот=mgh mg=F 40 см=0,4 м
Eпот=Fh=5*0.4=2 дж
P=ρgh
h=P/ρg=4000/(800*10)=0,5 м
Кпд=A/P*t
A=кпд*P*t=0,9*5*220*600=594*10^3 Дж
Основными носителями зарядов в полупроводнике являются электроны и дырки. Их число зависит от температуры или от облучения полупроводника.
При нагревании или освещении полупроводника электрон разрываю связь и становится свободным при этом образуется пустое место имеющее положительный заряд ( дырка). Ток в полупроводнике это упорядоченное движение электронов и дырок