H₁ = 4 см = 0,04 м, h₂ = 1 см = 0,01 м, Fт = Fa, Fт это сила тяжести, действующая на брусок. Fт = m*g = ρ₁*V₁*g, g - это ускорение свободного падения, g = 9,8 м/с², ρ₁ - плотность дерева, V₁ - объем бруска, пусть S - площадь основания бруска, тогда V₁ = S*(h₁+h₂), Fт = ρ₁*S*(h₁+h₂)*g, Fа = ρ₂*V₂*g, ρ₂ - это плотность воды, ρ₂ = 1000 кг/м³, V₂ - это объем погруженной в воду части бруска. V₂ = S*h₁ Fa = ρ₂*S*h₁*g, Fт = Fa, ρ₁*S*(h₁+h₂)*g = ρ₂*S*h₁*g, ρ₁*(h₁+h₂) = ρ₂*h₁, ρ₁ = ρ₂*h₁/(h₁+h₂), По последней формуле находим плотность дерева, из которого сделан брусок ρ₁ = 1000кг/м³ *0,04м/(0,04м+0,01м) = 1000*(0,04/0,05) кг/м³ = = 1000*4/5 кг/м³ = 200*4 кг/м³ = 800 кг/м³ Ответ. 800 кг/м³.
Свойства p-n - перехода. Полупроводниковые приборы являются основой современной электронной техники. Они применяются в радиоприемниках и телевизорах, микрокалькуляторах и электронных вычислительных машинах. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на использовании свойств p-n - перехода. Для создания p-n - перехода в кристалле с электронной проводимостью нужно создать область с дырочной проводимостью или в кристалле с дырочной проводимостью — область с электронной проводимостью. Такая область создается введением примеси в процессе выращивания кристалла или введением атомов примеси в готовый кристалл. Через границу, разделяющую области кристалла с различными типами проводимости, происходит диффузия электронов и дырок