Вот ответ на твой вопрос
Свойства p-n - перехода. Полупроводниковые приборы являются основой современной электронной техники. Они применяются в радиоприемниках и телевизорах, микрокалькуляторах и электронных вычислительных машинах. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на использовании свойств p-n - перехода. Для создания p-n - перехода в кристалле с электронной проводимостью нужно создать область с дырочной проводимостью или в кристалле с дырочной проводимостью — область с электронной проводимостью. Такая область создается введением примеси в процессе выращивания кристалла или введением атомов примеси в готовый кристалл. Через границу, разделяющую области кристалла с различными типами проводимости, происходит диффузия электронов и дырок
Fтяж=mg; m=Fтяж/g=150Н/10(Н/кг)=15 кг.
Заряды электрона и протона по модулю равны (q)
Fe=q*B*V
Fp=q*B*2*V
Fe/Fp=1/2
1) 60+(90*2)=240(км/ч) - всего
2) 240:2=120 (км/ч)- средняя скорость
Еп=mgh=(ро стали)*V*g*h, 4дм^3=0,004 м^3, Eп=7800 кг/м^3*0,004 м^3*10Н/кг*2 м=624Дж.