Добродетель - положительное нравственное качество, высокая нравственность.
Порок (этика) — нравственный, духовный недостаток, отрицательное моральное качество человека.
Тебе нужны примеры или что?
Вот тебе обозначения
Я решила выбрать будущую профессию врач. Потому что мне нравится лечить людей. Мне кажется это хорошо лечить больных. Ведь я им помогаю.
Ответ:
Элементарно ведь, это "экскремент". Изучаю китайский 2 года, знаю, что говорю.
Объяснение:
Ответ:
Альтруизм – это черта характера человека, выражающаяся в готовности помогать людям, бескорыстно заботиться о них, на первый план ставить интересы людей, народа, страны, а не свои личные. Это способность к самопожертвованию, когда человек готов отдать жизнь ради спасения других. В основе альтруизма лежит огромная любовь к людям.
В рассказе А.М.Горького «Старуха Изергиль» есть легеда о Данко, о человеке, который , выводя людей из дремучего леса, понимая, что выбраться почти невозможно, решается вырвать из своей груди сердце и осветить им дорогу людям. Данко погиб, но вывел людей, доверившихся ему, из непроходимой чащи и тьмы. Он пожертвовал жизнью ради спасения других. Данко- это символ самопожертвования, бескорыстной любви к любви к людям, альтруизма.
Жить для людей, любить их, не быть равнодушными, отдавать им частицу своего тепла, души, не проходить мимо чужой беды — вот что значит быть альтруистом. Именно такие люди спасают, выручают, приходят на помощь, на них можно положиться. Каждый должен стремиться стать на них похожим.
Подложка — термин, используемый в материаловедении для обозначения основного материала, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала.
Подложка в фотоматериалах и киноматериалах — основа фотоплёнки/фотопластины, служащая носителем эмульсионных слоёв.
Подложка в микроэлектронике — это обычно монокристаллическая полупроводниковая пластина, предназначенная для создания на ней плёнок, гетероструктур и выращивания монокристаллических слоев с помощью процесса эпитаксии (гетероэпитаксии, гомоэпитаксии, эндотаксии), кристаллизации и т. д.
При выращивании кристаллов большое значение имеют условия сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте поверхности и отсутствию дефектов в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение буферного слоя для предотвращения возникновения множественных дислокаций.